SI4403CDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4403CDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4403CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4403CDY даташит

 ..1. Size:235K  vishay
si4403cdy.pdfpdf_icon

SI4403CDY

New Product Si4403CDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0155 at VGS = - 4.5 V - 13.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.0195 at VGS = - 2.5 V - 12 36.5 nC 100 % Rg Tested 0.0250 at VGS = - 1.8 V - 10.5 100 % UIS Tested Compliant to

 8.1. Size:225K  vishay
si4403bdy.pdfpdf_icon

SI4403CDY

Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G

 8.2. Size:223K  vishay
si4403bd.pdfpdf_icon

SI4403CDY

Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G

 8.3. Size:44K  vishay
si4403dy.pdfpdf_icon

SI4403CDY

Si4403DY New Product Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) APPLICATIONS 0.017 @ VGS = 4.5 V 9 D Load Switch 20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations 0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks Desktops S SO-8 SD 1 8 G S D 2 7 SD 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel

Другие IGBT... SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, SI4398DY, SI4401BDY, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY, IRF4905, SI4404DY, SI4406DY, SI4408DY, SI4409DY, SI4410BDY, SI4410DYPBF, SI4411DY, SI4412ADY