Справочник MOSFET. SI4403CDY

 

SI4403CDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4403CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.4 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 340 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4403CDY

 

 

SI4403CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
si4403cdy.pdf

SI4403CDY
SI4403CDY

New ProductSi4403CDYVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0155 at VGS = - 4.5 V - 13.4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0195 at VGS = - 2.5 V - 12 36.5 nC 100 % Rg Tested0.0250 at VGS = - 1.8 V - 10.5 100 % UIS Tested Compliant to

 8.1. Size:225K  vishay
si4403bdy.pdf

SI4403CDY
SI4403CDY

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG

 8.2. Size:223K  vishay
si4403bd.pdf

SI4403CDY
SI4403CDY

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG

 8.3. Size:44K  vishay
si4403dy.pdf

SI4403CDY
SI4403CDY

Si4403DYNew ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.017 @ VGS = 4.5 V9D Load Switch20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks DesktopsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDP-Channel

 8.4. Size:256K  vishay
si4403ddy.pdf

SI4403CDY
SI4403CDY

Si4403DDYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD 5D 6 1.8 V rated RDS(on)D 7 100% Rg tested8 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124G33APPLICATIONSSSS22SS11 Adapter switchSTop View

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top