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SI4483EDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4483EDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4483EDY Datasheet (PDF)

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Si4483EDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = - 10 V - 14 - 30 TrenchFET Power MOSFET 0.014 at VGS = - 4.5 V - 11 ESD Protection 3000 V APPLICATIONS Notebook PC - Load Switch - Adapter Switch S SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D

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Si4483EDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = - 10 V - 14 - 30 TrenchFET Power MOSFET 0.014 at VGS = - 4.5 V - 11 ESD Protection 3000 V APPLICATIONS Notebook PC - Load Switch - Adapter Switch S SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D

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Si4483ADY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0088 at VGS = - 10 V - 19.2 TrenchFET Power MOSFET - 30 44.8 nC 0.0153 at VGS = - 4.5 V - 14.6 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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Si4483ADY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0088 at VGS = - 10 V - 19.2 TrenchFET Power MOSFET - 30 44.8 nC 0.0153 at VGS = - 4.5 V - 14.6 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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