SI4532CDY Todos los transistores

 

SI4532CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4532CDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4532CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  vishay
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SI4532CDY

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

 6.1. Size:290K  vishay
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SI4532CDY

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

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SI4532CDY

September 1999Si4532DY*Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThese dual N- and P-Channel enhancement mode power N-Channel 3.9A, 30V.RDS(ON) = 0.065 @VGS = 10Vfield effect transistors are produced using Fairchild'spropretary, high cell density, DMOS technology. This very RDS(ON) = 0.095 @VGS = 4.5V.high density process

 8.2. Size:98K  vishay
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SI4532CDY

Si4532DYVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) RDS(ON) (W) ID (A)0.065 @ VGS = 10 V "3.9N-Channel 30N-Channel 300.095 @ VGS = 4.5 V "3.10.085 @ VGS = 10 V "3.5P-Channel 30P-Channel 300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5D1 S2SO-8S1 1 D18G2G1 2 D17G1S2 3 D26G2 4 D25Top ViewS1 D2N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

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History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R

 

 
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