Справочник MOSFET. SI4532CDY

 

SI4532CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4532CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4532CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4532CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  vishay
 si4532cdy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

 6.1. Size:290K  vishay
 si4532cd.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

 8.1. Size:274K  fairchild semi
 si4532dy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

September 1999Si4532DY*Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThese dual N- and P-Channel enhancement mode power N-Channel 3.9A, 30V.RDS(ON) = 0.065 @VGS = 10Vfield effect transistors are produced using Fairchild'spropretary, high cell density, DMOS technology. This very RDS(ON) = 0.095 @VGS = 4.5V.high density process

 8.2. Size:98K  vishay
 si4532dy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532DYVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) RDS(ON) (W) ID (A)0.065 @ VGS = 10 V "3.9N-Channel 30N-Channel 300.095 @ VGS = 4.5 V "3.10.085 @ VGS = 10 V "3.5P-Channel 30P-Channel 300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5D1 S2SO-8S1 1 D18G2G1 2 D17G1S2 3 D26G2 4 D25Top ViewS1 D2N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4487DY , SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , SI4501BDY , SI4511DY , IRF9640 , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY , SI4620DY , SI4622DY .

History: PJX8805 | AP30T10GP-HF | SVS80R900DE3TR | HGP030N10S | NTMFS4922NE | SVF1N60AF | 2SK982

 

 
Back to Top

 


 
.