SI4532CDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4532CDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4532CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4532CDY даташит

 ..1. Size:291K  vishay
 si4532cdy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532CDY Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 2.75 0.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested 0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS Tested P-Channel - 30 4.1 Compli

 6.1. Size:290K  vishay
 si4532cd.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532CDY Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 2.75 0.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested 0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS Tested P-Channel - 30 4.1 Compli

 8.1. Size:274K  fairchild semi
 si4532dy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

September 1999 Si4532DY* Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These dual N- and P-Channel enhancement mode power N-Channel 3.9A, 30V.RDS(ON) = 0.065 @VGS = 10V field effect transistors are produced using Fairchild's propretary, high cell density, DMOS technology. This very RDS(ON) = 0.095 @VGS = 4.5V. high density process

 8.2. Size:98K  vishay
 si4532dy.pdf pdf_icon

SI4532CDY

Si4532DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(ON) (W) ID (A) 0.065 @ VGS = 10 V "3.9 N-Channel 30 N-Channel 30 0.095 @ VGS = 4.5 V "3.1 0.085 @ VGS = 10 V "3.5 P-Channel 30 P-Channel 30 0.19 @ VGS = 4.5 V "2.5 D1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G2 G1 2 D1 7 G1 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4487DY, SI4488DY, SI4491EDY, SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, SI4511DY, K2611, SI4554DY, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY