SI4654DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4654DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4654DY
SI4654DY Datasheet (PDF)
si4654dy.pdf
Si4654DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.004 at VGS = 10 V 28.6 TrenchFET Power MOSFET 25 29 nC 100 % Rg Tested 0.0052 at VGS = 4.5 V 25.6 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side SO-8 - Notebook, Game C
si4652dy.pdf
Si4652DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0035 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 25 35.5 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 28 APPLICATIONS Notebook Core Voltage SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD
si4650dy.pdf
Si4650DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.0 Channel-1 30 10.5 TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested 0.018 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 10.5 Compl
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Liste
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