SI4654DY Todos los transistores

 

SI4654DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4654DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4654DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
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SI4654DY

Si4654DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.004 at VGS = 10 V 28.6 TrenchFET Power MOSFET25 29 nC 100 % Rg Tested0.0052 at VGS = 4.5 V 25.6 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Synchronous Buck-Low SideSO-8- Notebook, Game C

 9.1. Size:96K  vishay
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SI4654DY

Si4652DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0035 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 25 35.5 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested28APPLICATIONS Notebook Core VoltageSO-8 DSD1 8 SD2 7 SD3 6 GD

 9.2. Size:288K  vishay
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SI4654DY

Si4650DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = 10 V 8.0Channel-1 30 10.5 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested0.018 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 30 10.5 Compl

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History: IXTA60N10T | NCE30NP1812Q | IRF3710A

 

 
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