SI4654DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4654DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4654DY datasheet

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SI4654DY

Si4654DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.004 at VGS = 10 V 28.6 TrenchFET Power MOSFET 25 29 nC 100 % Rg Tested 0.0052 at VGS = 4.5 V 25.6 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side SO-8 - Notebook, Game C

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SI4654DY

Si4652DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0035 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 25 35.5 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 28 APPLICATIONS Notebook Core Voltage SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD

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SI4654DY

Si4650DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.0 Channel-1 30 10.5 TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested 0.018 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 10.5 Compl

Otros transistores... SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY, SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, SI4642DY, SI4646DY, 50N06, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY