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SI4666DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4666DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 236 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4666DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  vishay
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SI4666DY

Si4666DY Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 4.5 V 25 15.8 10.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 2.5 V 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

 9.1. Size:238K  vishay
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SI4666DY

Si4668DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0105 at VGS = 10 V 16.2 TrenchFET Power MOSFET 25 12.4 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0125 at VGS = 4.5 V 13 APPLICATIONS Synchronous Buck SO-8 - High Side D SD 1 8 SD 2 7 SD 3

 9.2. Size:97K  vishay
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SI4666DY

Si4662DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.010 at VGS = 10 V 18.6 TrenchFET Power MOSFET 11 nC 30 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 4.5 V 15.7 APPLICATIONS High-Side Switch - Notebook DC/DC - Server DC/DC SO-8 D SD 1

 9.3. Size:238K  vishay
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SI4666DY

Si4660DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0058 at VGS = 10 V 23.1 TrenchFET Power MOSFET 17 nC 25 100 % Rg and UIS Tested 0.007at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS DC/DC Conversion - High Side - Low Side SO-8 D SD 1 8 SD

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History: P5103EMA

 

 
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