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SI4688DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4688DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4688DY Datasheet (PDF)

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SI4688DY

New Product Si4688DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 30 0.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC - Core D - System Power SO-8 S D 1 8 S

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SI4688DY

Si4684DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology 16 30 14 nC for Low Switching Losses 0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc

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SI4688DY

Si4682DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 16 30 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLI

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SI4688DY

Si4686DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology 30 9.2 nC 0.014 at VGS = 4.5 V 15 for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg Tested SO-8 APPLICATIONS D

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