SI4688DY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4688DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4688DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4688DY

 

SI4688DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 si4688dy.pdf pdf_icon

SI4688DY

New Product Si4688DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 30 0.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC - Core D - System Power SO-8 S D 1 8 S

 9.1. Size:94K  vishay
 si4684dy.pdf pdf_icon

SI4688DY

Si4684DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology 16 30 14 nC for Low Switching Losses 0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc

 9.2. Size:246K  vishay
 si4682dy.pdf pdf_icon

SI4688DY

Si4682DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 16 30 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLI

 9.3. Size:235K  vishay
 si4686dy.pdf pdf_icon

SI4688DY

Si4686DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology 30 9.2 nC 0.014 at VGS = 4.5 V 15 for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg Tested SO-8 APPLICATIONS D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4654DY , SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , SI4682DY , SI4684DY , SI4686DY , IRFP260N , SI4712DY , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY , SI4800 , SI4800BDY , SI4810BDY .

 

 
Back to Top

 


 
.