SI4778DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4778DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4778DY datasheet

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SI4778DY

Si4778DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Available 0.023 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET 25 5.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.028 at VGS = 4.5 V 8a APPLICATIONS DC/DC Converter Gaming Notebook System Power SO-8 D S 1

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SI4778DY

New Product Si4776DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.016 at VGS = 10 V 11.9 30 5.5 nC MOSFET and Schottky Diode 0.020 at VGS = 4.5 V 10.6 100 % Rg and UIS Teste

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SI4778DY

New Product Si4774DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen. 16 30 9.5 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0120 at VGS = 4.5 V 15 100 % Rg Tested

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