SI4778DY Todos los transistores

 

SI4778DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4778DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4778DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  vishay
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SI4778DY

Si4778DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Available 0.023 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET 25 5.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.028 at VGS = 4.5 V 8a APPLICATIONS DC/DC Converter Gaming Notebook System Power SO-8 D S 1

 9.1. Size:271K  vishay
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SI4778DY

New Product Si4776DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.016 at VGS = 10 V 11.9 30 5.5 nC MOSFET and Schottky Diode 0.020 at VGS = 4.5 V 10.6 100 % Rg and UIS Teste

 9.2. Size:270K  vishay
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SI4778DY

New Product Si4774DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen. 16 30 9.5 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0120 at VGS = 4.5 V 15 100 % Rg Tested

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