SI4800BDY Todos los transistores

 

SI4800BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4800BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI4800BDY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI4800BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  vishay
 si4800bdy.pdf pdf_icon

SI4800BDY

Si4800BDYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 930 TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7 High-Efficient PWM Optimized 100 % UIS and Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5GTop Vi

 6.1. Size:244K  vishay
 si4800bd.pdf pdf_icon

SI4800BDY

Si4800BDYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 930 TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7 High-Efficient PWM Optimized 100 % UIS and Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5GTop Vi

 8.1. Size:96K  vishay
 si4800.pdf pdf_icon

SI4800BDY

SI4800N-channel TrenchMOS logic level FETM3D315Rev. 02 17 February 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low gate charge Surface mounted package Low on-state resistance Fast switching.1.3 Applications Portable appliances Notebook computers

 8.2. Size:50K  vishay
 si4800dy.pdf pdf_icon

SI4800BDY

Si4800DYVishay SiliconixN-Channel Reducded Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0185 @ VGS = 10 V 930300.033 @ VGS = 4.5 V 7D D D DSO-8SD1 8S D2 7GSD3 6G D N-Channel MOSFET4 5Top ViewOrdering Information: Si4800DYSi4800DY-T1 (with Tape and Reel)S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramet

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4686DY , SI4688DY , SI4712DY , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY , SI4800 , IRF9540 , SI4810BDY , SI4812BDY , SI4816BDY , SI4823DY , SI4825DDY , SI4825DY , SI4829DY , SI4830CDY .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.