SI4812BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4812BDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SI4812BDY datasheet
si4812bdy.pdf
Si4812BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.016 at VGS = 10 V 9.5 30 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.021 at VGS = 4.5 V 7.7 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) VDS (V) IF (A) Diode Forward Voltage 30 0.
si4812dy.pdf
Si4812DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D LITTLE FOOTr Plus Power MOSFET D 100% Rg Tested 0.018 @ VGS = 10 V 9 30 30 0.028 @ VGS = 4.5 V 7.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.50 V @ 1.0 A 1.4 D SO-8 SD 1 8 Ordering Information S D 2 7 Si4
si4816bdy.pdf
Si4816BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET Channel-1 7.8 0.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested 30 0.0115 at VGS = 10 V 11.4 Channel-2 11.6 0.016 a
si4816bd.pdf
Si4816BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET Channel-1 7.8 0.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested 30 0.0115 at VGS = 10 V 11.4 Channel-2 11.6 0.016 a
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History: SI4825DY | AFP3407S | SI4833ADY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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