SI4812BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4812BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4812BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4812BDY даташит

 ..1. Size:249K  vishay
si4812bdy.pdfpdf_icon

SI4812BDY

Si4812BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.016 at VGS = 10 V 9.5 30 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.021 at VGS = 4.5 V 7.7 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) VDS (V) IF (A) Diode Forward Voltage 30 0.

 8.1. Size:64K  vishay
si4812dy.pdfpdf_icon

SI4812BDY

Si4812DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D LITTLE FOOTr Plus Power MOSFET D 100% Rg Tested 0.018 @ VGS = 10 V 9 30 30 0.028 @ VGS = 4.5 V 7.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.50 V @ 1.0 A 1.4 D SO-8 SD 1 8 Ordering Information S D 2 7 Si4

 9.1. Size:261K  vishay
si4816bdy.pdfpdf_icon

SI4812BDY

Si4816BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET Channel-1 7.8 0.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested 30 0.0115 at VGS = 10 V 11.4 Channel-2 11.6 0.016 a

 9.2. Size:259K  vishay
si4816bd.pdfpdf_icon

SI4812BDY

Si4816BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET Channel-1 7.8 0.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested 30 0.0115 at VGS = 10 V 11.4 Channel-2 11.6 0.016 a

Другие IGBT... SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800, SI4800BDY, SI4810BDY, 8205A, SI4816BDY, SI4823DY, SI4825DDY, SI4825DY, SI4829DY, SI4830CDY, SI4831BDY, SI4833ADY