SI4830CDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4830CDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4830CDY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4830CDY datasheet
si4830cdy.pdf
Si4830CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus Schottky Channel-1 30 7.3 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested 0.020 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 7
si4830cd.pdf
Si4830CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus Schottky Channel-1 30 7.3 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested 0.020 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 7
si4830ad.pdf
Si4830ADY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 7.5 LITTLE FOOT Plus Schottky 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 Si4830DY Pin Compatible PWM Optimized 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY Comp
si4830ady.pdf
Si4830ADY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Si4830DY Pin Compatible 0.022 at VGS = 10 V 7.5 PWM Optimized RoHS 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 COMPLIANT 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) APPLICATIONS VDS (V) IF (A) Diode Forward Vo
Otros transistores... SI4800BDY, SI4810BDY, SI4812BDY, SI4816BDY, SI4823DY, SI4825DDY, SI4825DY, SI4829DY, 2SK3878, SI4831BDY, SI4833ADY, SI4833BDY, SI4835DDY, SI4836DY, SI4838BDY, SI4838DY, SI4840BDY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030
