SI4830CDY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI4830CDY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI4830CDY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4830CDY даташит
si4830cdy.pdf
Si4830CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus Schottky Channel-1 30 7.3 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested 0.020 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 7
si4830cd.pdf
Si4830CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus Schottky Channel-1 30 7.3 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested 0.020 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 7
si4830ad.pdf
Si4830ADY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 7.5 LITTLE FOOT Plus Schottky 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 Si4830DY Pin Compatible PWM Optimized 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY Comp
si4830ady.pdf
Si4830ADY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Si4830DY Pin Compatible 0.022 at VGS = 10 V 7.5 PWM Optimized RoHS 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 COMPLIANT 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) APPLICATIONS VDS (V) IF (A) Diode Forward Vo
Другие IGBT... SI4800BDY, SI4810BDY, SI4812BDY, SI4816BDY, SI4823DY, SI4825DDY, SI4825DY, SI4829DY, 2SK3878, SI4831BDY, SI4833ADY, SI4833BDY, SI4835DDY, SI4836DY, SI4838BDY, SI4838DY, SI4840BDY
History: AFP3407AS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030





