SI4830CDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4830CDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4830CDY Datasheet (PDF)
si4830cdy.pdf
Si4830CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus SchottkyChannel-1 30 7.3 PWM Optimized0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested0.020 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 30 7
si4830cd.pdf
Si4830CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 8.0 LITTLE FOOT Plus SchottkyChannel-1 30 7.3 PWM Optimized0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg Tested0.020 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 30 7
si4830ad.pdf
Si4830ADYVishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 7.5 LITTLE FOOT Plus Schottky300.030 at VGS = 4.5 V 6.5 Si4830DY Pin Compatible PWM Optimized 100 % Rg TestedSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY Comp
si4830ady.pdf
Si4830ADYVishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus SchottkyVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Si4830DY Pin Compatible0.022 at VGS = 10 V 7.5 PWM Optimized RoHS300.030 at VGS = 4.5 V 6.5 COMPLIANT 100 % Rg TestedSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) APPLICATIONSVDS (V) IF (A)Diode Forward Vo
si4830dy.pdf
Si4830DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodePRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.022 @ VGS = 10 V 7.530300.030 @ VGS = 4.5 V 6.5SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVSD (V)VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.50 V @ 1.0 A 2.0D1 D1D2 D2SO-8S1 1 D18G1 2 D17Schottky DiodeG1G2S2 3 D26G2 4 D25Top ViewS1Ordering In
Другие MOSFET... SI4800BDY , SI4810BDY , SI4812BDY , SI4816BDY , SI4823DY , SI4825DDY , SI4825DY , SI4829DY , IRF1407 , SI4831BDY , SI4833ADY , SI4833BDY , SI4835DDY , SI4836DY , SI4838BDY , SI4838DY , SI4840BDY .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918