SI4833ADY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4833ADY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4833ADY

SI4833ADY Datasheet (PDF)

..1. Size:45K vishay
si4833ady.pdf

Specification ComparisonVishay SiliconixSi4833ADY vs. Si4833DYDescription: P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodePackage: SO-8Pin Out: IdenticalPart Number ReplacementsSi4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY UnitDrain-Source Voltage

6.1. Size:238K vishay
si4833ad.pdf

Si4833ADYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 30 - 4.60.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF

8.1. Size:97K vishay
si4833dy.pdf

Si4833DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.5 V @ 1.0 A 1.4S KSO-8KA 1 8GKA 2 7SD3 6GD4 5D ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

8.2. Size:268K vishay
si4833bdy.pdf

Si4833BDYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.068 at VGS = - 10 V - 4.6- 30 4.6 100 % Rg Tested0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM603BK

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: