SI4833BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4833BDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4833BDY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4833BDY datasheet
si4833bdy.pdf
Si4833BDY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.068 at VGS = - 10 V - 4.6 - 30 4.6 100 % Rg Tested 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY
si4833ady.pdf
Specification Comparison Vishay Siliconix Si4833ADY vs. Si4833DY Description P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Package SO-8 Pin Out Identical Part Number Replacements Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3 Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY Unit Drain-Source Voltage
si4833dy.pdf
Si4833DY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.085 @ VGS = 10 V "3.5 30 30 0.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.5 V @ 1.0 A 1.4 S K SO-8 K A 1 8 G K A 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D A Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C
si4833ad.pdf
Si4833ADY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 30 - 4.6 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF
Otros transistores... SI4816BDY, SI4823DY, SI4825DDY, SI4825DY, SI4829DY, SI4830CDY, SI4831BDY, SI4833ADY, IRF9540N, SI4835DDY, SI4836DY, SI4838BDY, SI4838DY, SI4840BDY, SI4840DY, SI4842BDY, SI4848DY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828
