Справочник MOSFET. SI4833BDY

 

SI4833BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4833BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4833BDY

 

 

SI4833BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
 si4833bdy.pdf

SI4833BDY SI4833BDY

Si4833BDYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.068 at VGS = - 10 V - 4.6- 30 4.6 100 % Rg Tested0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY

 8.1. Size:45K  vishay
 si4833ady.pdf

SI4833BDY

Specification ComparisonVishay SiliconixSi4833ADY vs. Si4833DYDescription: P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodePackage: SO-8Pin Out: IdenticalPart Number ReplacementsSi4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY UnitDrain-Source Voltage

 8.2. Size:97K  vishay
 si4833dy.pdf

SI4833BDY SI4833BDY

Si4833DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.5 V @ 1.0 A 1.4S KSO-8KA 1 8GKA 2 7SD3 6GD4 5D ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

 8.3. Size:238K  vishay
 si4833ad.pdf

SI4833BDY SI4833BDY

Si4833ADYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 30 - 4.60.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top