SI4842BDY Todos los transistores

 

SI4842BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4842BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4842BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
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SI4842BDY

Si4842BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0042 at VGS = 10 V 28 TrenchFET Power MOSFETs30 29 nC 100 % Rg Tested0.0057 at VGS = 4.5 V 24SO-8 DSD1 8 SD2 7 SD3 6 GD G4 5 Top View SOrdering Information: Si4842

 8.1. Size:84K  vishay
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SI4842BDY

Si4842DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) rDS(on) () ID (A)D TrenchFETr Power MOSFETD 100% Rg Tested0.0045 @ VGS =10V 2330300.006 @ VGS =4.5 V 19DSO-8SD1 8SD2 7SD3 6GD4 5 GTop ViewOrdering Information: Si4842DYSSi4842DY-T1 (with Tape and Reel)Si4842DYE3 (Lead (Pb)-Free)N-Channel MOSFETSi4842DY-

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SI4842BDY

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

 9.2. Size:244K  vishay
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SI4842BDY

Si4840DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.009 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET400.012 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 82 7S DS 3 6 DG4 5G DTop ViewSOrder

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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