Справочник MOSFET. SI4842BDY

 

SI4842BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4842BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4842BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4842BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
si4842bdy.pdfpdf_icon

SI4842BDY

Si4842BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0042 at VGS = 10 V 28 TrenchFET Power MOSFETs30 29 nC 100 % Rg Tested0.0057 at VGS = 4.5 V 24SO-8 DSD1 8 SD2 7 SD3 6 GD G4 5 Top View SOrdering Information: Si4842

 8.1. Size:84K  vishay
si4842dy.pdfpdf_icon

SI4842BDY

Si4842DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) rDS(on) () ID (A)D TrenchFETr Power MOSFETD 100% Rg Tested0.0045 @ VGS =10V 2330300.006 @ VGS =4.5 V 19DSO-8SD1 8SD2 7SD3 6GD4 5 GTop ViewOrdering Information: Si4842DYSSi4842DY-T1 (with Tape and Reel)Si4842DYE3 (Lead (Pb)-Free)N-Channel MOSFETSi4842DY-

 9.1. Size:238K  vishay
si4840bdy.pdfpdf_icon

SI4842BDY

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

 9.2. Size:244K  vishay
si4840dy.pdfpdf_icon

SI4842BDY

Si4840DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.009 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET400.012 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 82 7S DS 3 6 DG4 5G DTop ViewSOrder

Другие MOSFET... SI4833ADY , SI4833BDY , SI4835DDY , SI4836DY , SI4838BDY , SI4838DY , SI4840BDY , SI4840DY , AON7410 , SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , SI4860DY , SI4862DY , SI4864DY , SI4866BDY , SI4866DY .

History: PTD15N10 | HGP115N15S | 2SK2603 | SI1555DL | AP55T10GI-HF | SM3331PSQG | HGB195N15S

 

 
Back to Top

 


 
.