SI4914BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4914BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4914BDY

SI4914BDY Datasheet (PDF)

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Si4914BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.021 at VGS = 10 V 8.4 LITTLE FOOT Plus Integrated SchottkyChannel-1 6.70.027 at VGS = 4.5 V 7.4 100 % Rg and UIS Tested30 Compliant to RoHS Directive 2002/

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8.1. Size:132K 1
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Si4914DYNew ProductVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated SchottkyVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 10 V 7.0Channel-1RoHS0.032 at VGS = 4.5 V 5.6APPLICATIONS COMPLIANT300.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DCChannel-20.027 at VGS = 4.5 V

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