SI4914BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4914BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4914BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4914BDY даташит

 ..1. Size:272K  vishay
si4914bdy.pdfpdf_icon

SI4914BDY

Si4914BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.4 LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky Channel-1 6.7 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 100 % Rg and UIS Tested 30 Compliant to RoHS Directive 2002/

 6.1. Size:271K  vishay
si4914bd.pdfpdf_icon

SI4914BDY

Si4914BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.4 LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky Channel-1 6.7 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 100 % Rg and UIS Tested 30 Compliant to RoHS Directive 2002/

 8.1. Size:132K  1
si4914dy.pdfpdf_icon

SI4914BDY

Si4914DY New Product Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 10 V 7.0 Channel-1 RoHS 0.032 at VGS = 4.5 V 5.6 APPLICATIONS COMPLIANT 30 0.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DC Channel-2 0.027 at VGS = 4.5 V

 8.2. Size:101K  vishay
si4914dy.pdfpdf_icon

SI4914BDY

Si4914DY New Product Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 10 V 7.0 Channel-1 RoHS 0.032 at VGS = 4.5 V 5.6 APPLICATIONS COMPLIANT 30 0.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DC Channel-2 0.027 at VGS = 4.5 V

Другие IGBT... SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY, SI4904DY, SI4909DY, SI4913DY, 2SK3568, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY, SI4948BEY, SI4992EY