SI4943CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4943CDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0192 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4943CDY

SI4943CDY Datasheet (PDF)

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si4943cdy.pdf

New ProductSi4943CDYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0192 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET- 20 20 100 % Rg and UIS Tested0.0330 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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si4943bdy.pdf

Si4943BDYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.019 at VGS = - 10 V - 8.4 TrenchFET Power MOSFET- 200.031 at VGS = - 4.5 V - 6.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switching- Computer- G

8.2. Size:47K vishay
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Si4943DYNew ProductVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.019 @ VGS = -10 V-8.4D Load Switching-20-20- Computer0.030 @ VGS = - 4.5 V -6.7- Game SystemsD Battery Switching- 2-Cell Li-lonS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

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