SI4943CDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4943CDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4943CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4943CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4943CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
 si4943cdy.pdf pdf_icon

SI4943CDY

New ProductSi4943CDYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0192 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET- 20 20 100 % Rg and UIS Tested0.0330 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 6.1. Size:252K  vishay
 si4943cd.pdf pdf_icon

SI4943CDY

New ProductSi4943CDYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0192 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET- 20 20 100 % Rg and UIS Tested0.0330 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 8.1. Size:224K  vishay
 si4943bdy.pdf pdf_icon

SI4943CDY

Si4943BDYVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.019 at VGS = - 10 V - 8.4 TrenchFET Power MOSFET- 200.031 at VGS = - 4.5 V - 6.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switching- Computer- G

 8.2. Size:47K  vishay
 si4943dy.pdf pdf_icon

SI4943CDY

Si4943DYNew ProductVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.019 @ VGS = -10 V-8.4D Load Switching-20-20- Computer0.030 @ VGS = - 4.5 V -6.7- Game SystemsD Battery Switching- 2-Cell Li-lonS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4904DY , SI4909DY , SI4913DY , SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , SI4936CDY , 7N60 , SI4946BEY , SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC .

 

 
Back to Top

 


 
.