SI4943CDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4943CDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4943CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4943CDY даташит

 ..1. Size:255K  vishay
si4943cdy.pdfpdf_icon

SI4943CDY

New Product Si4943CDY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0192 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET - 20 20 100 % Rg and UIS Tested 0.0330 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 6.1. Size:252K  vishay
si4943cd.pdfpdf_icon

SI4943CDY

New Product Si4943CDY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0192 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET - 20 20 100 % Rg and UIS Tested 0.0330 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 8.1. Size:224K  vishay
si4943bdy.pdfpdf_icon

SI4943CDY

Si4943BDY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.019 at VGS = - 10 V - 8.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.031 at VGS = - 4.5 V - 6.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switching - Computer - G

 8.2. Size:47K  vishay
si4943dy.pdfpdf_icon

SI4943CDY

Si4943DY New Product Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) APPLICATIONS 0.019 @ VGS = -10 V -8.4 D Load Switching -20 -20 - Computer 0.030 @ VGS = - 4.5 V -6.7 - Game Systems D Battery Switching - 2-Cell Li-lon S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top View

Другие IGBT... SI4904DY, SI4909DY, SI4913DY, SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, AO3407, SI4946BEY, SI4948BEY, SI4992EY, SI5401DC, SI5402BDC, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC