SI5404BDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5404BDC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: 1206-8
- Selección de transistores por parámetros
SI5404BDC Datasheet (PDF)
si5404bdc.pdf

Si5404BDCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 4.5 V 7.520 6.3 TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = 2.5 V 6.31206-8 ChipFET1DDD DD DD GMarking CodeSGAE XXXLot Traceabilityand Date CodePart # CodeBotto
si5404dc.pdf

Si5404DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.030 @ VGS = 4.5 V 7.220200.045 @ VGS = 2.5 V 5.9D1206-8 ChipFETr1DD DD DGD GMarking CodeSAB XXLot Traceabilityand Date CodeSPart # CodeBottom ViewN-Channel MOSFETOrdering Information: Si5404DC-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE
si5406cdc.pdf

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices
si5406dc.pdf

Si5406DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated120.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal ResistanceAPPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers1206-8 ChipFET
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History: VS3620DP-G | 2SJ152
History: VS3620DP-G | 2SJ152



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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