SI5424DC Todos los transistores

 

SI5424DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5424DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
 

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SI5424DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
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SI5424DC

Si5424DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 630 11 nC TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 6APPLICATIONSChipFET 1206-8 Load Switch- Notebook PC1DDD DD DMarking CodeD GAF XXXLot Traceability

 9.1. Size:166K  vishay
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SI5424DC

Si5429DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.015 at VGS = - 10 V - 12a- 30 20 nC ChipFET Package0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile- Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

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History: IPA60R600P6 | STB18NM80 | CTQ06N085 | SFP043N100C3 | AP85T10AGI-HF | YJD60N02A | JCS7N70FE

 

 
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