Справочник MOSFET. SI5424DC

 

SI5424DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5424DC
   Маркировка: AF*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5424DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5424DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
 si5424dc.pdf pdf_icon

SI5424DC

Si5424DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 630 11 nC TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 6APPLICATIONSChipFET 1206-8 Load Switch- Notebook PC1DDD DD DMarking CodeD GAF XXXLot Traceability

 9.1. Size:166K  vishay
 si5429du.pdf pdf_icon

SI5424DC

Si5429DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.015 at VGS = - 10 V - 12a- 30 20 nC ChipFET Package0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile- Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

Другие MOSFET... SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , STP65NF06 , SI5429DU , SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC , SI5440DC , SI5441BDC , SI5441DC , SI5442DU .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.