SI5449DC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5449DC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: 1206-8
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SI5449DC datasheet
si5449dc.pdf
Si5449DC Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.085 at VGS = - 4.5 V - 4.3 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated - 30 0.135 at VGS = - 2.5 V - 3.4 1206-8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BH XX Lot Traceability S and Date Code
si5443dc.pdf
Si5443DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.074 at VGS = - 3.6 V - 20 4.6 0.110 at VGS = - 2.5 V 3.8 1206 -8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BB XX Lot
si5445bdc.pdf
Si5445BDC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.033 at VGS = - 4.5 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 2.5 V - 6.2 14 - 8 0.060 at VGS = - 1.8 V - 5.3 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BM XX S Lot Traceability
si5441dc.pdf
Si5441DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.06 at VGS = - 3.6 V - 5.1 11 2.5 V Rated - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.083 at VGS = - 2.5 V - 4.3 1206-8 ChipFET 1
Otros transistores... SI5435BDC, SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, SI5447DC, 60N06, SI5456DU, SI5457DC, SI5458DU, SI5459DU, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC
History: PTY10HN08 | JCS4N60R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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