SI5449DC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5449DC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5449DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5449DC даташит

 ..1. Size:203K  vishay
si5449dc.pdfpdf_icon

SI5449DC

Si5449DC Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.085 at VGS = - 4.5 V - 4.3 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated - 30 0.135 at VGS = - 2.5 V - 3.4 1206-8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BH XX Lot Traceability S and Date Code

 9.1. Size:200K  vishay
si5443dc.pdfpdf_icon

SI5449DC

Si5443DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.074 at VGS = - 3.6 V - 20 4.6 0.110 at VGS = - 2.5 V 3.8 1206 -8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BB XX Lot

 9.2. Size:226K  vishay
si5445bdc.pdfpdf_icon

SI5449DC

Si5445BDC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.033 at VGS = - 4.5 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 2.5 V - 6.2 14 - 8 0.060 at VGS = - 1.8 V - 5.3 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BM XX S Lot Traceability

 9.3. Size:228K  vishay
si5441dc.pdfpdf_icon

SI5449DC

Si5441DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.06 at VGS = - 3.6 V - 5.1 11 2.5 V Rated - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.083 at VGS = - 2.5 V - 4.3 1206-8 ChipFET 1

Другие IGBT... SI5435BDC, SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, SI5447DC, 60N06, SI5456DU, SI5457DC, SI5458DU, SI5459DU, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC