SI5458DU Todos los transistores

 

SI5458DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5458DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

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SI5458DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  vishay
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SI5458DU

New Product Si5458DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET 30 2.8 nC 100 % Rg Tested 0.051 at VGS = 4.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK ChipFET Singl

 9.1. Size:150K  vishay
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SI5458DU

Si5456DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Gen III Power MOSFET 20 9.8 nC 0.0135 at VGS = 4.5 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single -

 9.2. Size:152K  vishay
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SI5458DU

New Product Si5459DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.052 at VGS = - 4.5 V - 8e TrenchFET Power MOSFET - 20 8 100 % Rg Tested 0.082 at VGS = - 2.5 V - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK ChipFET Single APPLICA

 9.3. Size:235K  vishay
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SI5458DU

New Product Si5457DC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 0.041 at VGS = - 3.6 V - 6a 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 2.5 V - 6a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206

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History: PB210BV

 

 
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