SI5461EDC Todos los transistores

 

SI5461EDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5461EDC
   Código: LA*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
 

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SI5461EDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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SI5461EDC

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

 ..2. Size:208K  vishay
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SI5461EDC

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

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SI5461EDC

Si5468DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 630 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg TestedAPPLICATIONS1206-8 ChipFET System Power- Notebook1- NetbookDD Load SwitchD

 9.2. Size:114K  vishay
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SI5461EDC

Si5465EDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.037 @ VGS = --4.5 V--7.0--12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.10.065 @ VGS = --1.8 V --5.2S1206-8 ChipFETt1DG5.4 kD DD DMarking CodeD GLC XXSLot Traceabilityand Date CodeDPart #CodeBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5465EDC-T1ABSO

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History: TMD3N80G

 

 
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