Справочник MOSFET. SI5461EDC

 

SI5461EDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5461EDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5461EDC

 

 

SI5461EDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 si5461edc 2.pdf

SI5461EDC SI5461EDC

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

 ..2. Size:208K  vishay
 si5461edc.pdf

SI5461EDC SI5461EDC

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

 9.1. Size:233K  vishay
 si5468dc.pdf

SI5461EDC SI5461EDC

Si5468DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 630 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg TestedAPPLICATIONS1206-8 ChipFET System Power- Notebook1- NetbookDD Load SwitchD

 9.2. Size:114K  vishay
 si5465edc.pdf

SI5461EDC SI5461EDC

Si5465EDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.037 @ VGS = --4.5 V--7.0--12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.10.065 @ VGS = --1.8 V --5.2S1206-8 ChipFETt1DG5.4 kD DD DMarking CodeD GLC XXSLot Traceabilityand Date CodeDPart #CodeBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5465EDC-T1ABSO

 9.3. Size:209K  vishay
 si5463edc.pdf

SI5461EDC SI5461EDC

Si5463EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.062 at VGS = - 4.5 V - 5.1 ESD Protectedb 5000 V0.068 at VGS = - 3.6 V - 4.9- 200.085 at VGS = - 2.5 V - 4.40.120 at VGS = - 1.8 V - 3.71206-8 ChipFETS1DD DD DMarking Code G5.4 k

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top