SI5463EDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5463EDC
   Código: LB*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.7 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5463EDC

SI5463EDC Datasheet (PDF)

..1. Size:209K vishay
si5463edc.pdf

Si5463EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.062 at VGS = - 4.5 V - 5.1 ESD Protectedb 5000 V0.068 at VGS = - 3.6 V - 4.9- 200.085 at VGS = - 2.5 V - 4.40.120 at VGS = - 1.8 V - 3.71206-8 ChipFETS1DD DD DMarking Code G5.4 k

9.1. Size:233K vishay
si5468dc.pdf

Si5468DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 630 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg TestedAPPLICATIONS1206-8 ChipFET System Power- Notebook1- NetbookDD Load SwitchD

9.2. Size:114K vishay
si5465edc.pdf

Si5465EDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.037 @ VGS = --4.5 V--7.0--12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.10.065 @ VGS = --1.8 V --5.2S1206-8 ChipFETt1DG5.4 kD DD DMarking CodeD GLC XXSLot Traceabilityand Date CodeDPart #CodeBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5465EDC-T1ABSO

9.3. Size:204K vishay
si5461edc 2.pdf

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

9.4. Size:208K vishay
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