SI5463EDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI5463EDC
Маркировка: LB*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
SI5463EDC Datasheet (PDF)
si5463edc.pdf
Si5463EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.062 at VGS = - 4.5 V - 5.1 ESD Protectedb 5000 V0.068 at VGS = - 3.6 V - 4.9- 200.085 at VGS = - 2.5 V - 4.40.120 at VGS = - 1.8 V - 3.71206-8 ChipFETS1DD DD DMarking Code G5.4 k
si5468dc.pdf
Si5468DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 630 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg TestedAPPLICATIONS1206-8 ChipFET System Power- Notebook1- NetbookDD Load SwitchD
si5465edc.pdf
Si5465EDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.037 @ VGS = --4.5 V--7.0--12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.10.065 @ VGS = --1.8 V --5.2S1206-8 ChipFETt1DG5.4 kD DD DMarking CodeD GLC XXSLot Traceabilityand Date CodeDPart #CodeBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5465EDC-T1ABSO
si5461edc 2.pdf
Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability
si5461edc.pdf
Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918