Справочник MOSFET. SI5463EDC

 

SI5463EDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5463EDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5463EDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  vishay
si5463edc.pdfpdf_icon

SI5463EDC

Si5463EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.062 at VGS = - 4.5 V - 5.1 ESD Protectedb 5000 V0.068 at VGS = - 3.6 V - 4.9- 200.085 at VGS = - 2.5 V - 4.40.120 at VGS = - 1.8 V - 3.71206-8 ChipFETS1DD DD DMarking Code G5.4 k

 9.1. Size:233K  vishay
si5468dc.pdfpdf_icon

SI5463EDC

Si5468DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 630 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg TestedAPPLICATIONS1206-8 ChipFET System Power- Notebook1- NetbookDD Load SwitchD

 9.2. Size:114K  vishay
si5465edc.pdfpdf_icon

SI5463EDC

Si5465EDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.037 @ VGS = --4.5 V--7.0--12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.10.065 @ VGS = --1.8 V --5.2S1206-8 ChipFETt1DG5.4 kD DD DMarking CodeD GLC XXSLot Traceabilityand Date CodeDPart #CodeBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5465EDC-T1ABSO

 9.3. Size:204K  vishay
si5461edc 2.pdfpdf_icon

SI5463EDC

Si5461EDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.40.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6S1206-8 ChipFET1DD DG5.4 kD DMarking CodeD GLA XXSLot Traceability

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK3161L | TSM3446CX6 | 90N03 | 2SK2975 | IRF3707SPBF | DMN10H120SFG | STD2N50T4

 

 
Back to Top

 


 
.