SI5475DC Todos los transistores

 

SI5475DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5475DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI5475DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si5475dc.pdf pdf_icon

SI5475DC

Si5475DCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated- 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.81206-8 ChipFETS1DD D

 7.1. Size:213K  vishay
 si5475ddc.pdf pdf_icon

SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 7.2. Size:209K  vishay
 si5475dd.pdf pdf_icon

SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 8.1. Size:233K  vishay
 si5475bdc.pdf pdf_icon

SI5475DC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N7121 | AO8803 | FDC3612

 

 
Back to Top

 


 
.