SI5475DC Todos los transistores

 

SI5475DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5475DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

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SI5475DC Datasheet (PDF)

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SI5475DC

Si5475DC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated - 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.8 1206-8 ChipFET S 1 D D D

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SI5475DC

New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D

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SI5475DC

New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D

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SI5475DC

Si5475BDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated - 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 6 1206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

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History: BL3N90E-A

 

 
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