SI5475DC - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5475DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5475DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5475DC

 

SI5475DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
si5475dc.pdfpdf_icon

SI5475DC

Si5475DC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated - 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.8 1206-8 ChipFET S 1 D D D

 7.1. Size:213K  vishay
si5475ddc.pdfpdf_icon

SI5475DC

New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D

 7.2. Size:209K  vishay
si5475dd.pdfpdf_icon

SI5475DC

New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D

 8.1. Size:233K  vishay
si5475bdc.pdfpdf_icon

SI5475DC

Si5475BDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated - 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 6 1206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

Другие MOSFET... SI5457DC , SI5458DU , SI5459DU , SI5461EDC , SI5463EDC , SI5468DC , SI5471DC , SI5475BDC , IRF540 , SI5475DDC , SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU .

History: P5506BVG

 

 
Back to Top

 


 
.