Справочник MOSFET. SI5475DC

 

SI5475DC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5475DC
   Маркировка: BF*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5475DC

 

 

SI5475DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si5475dc.pdf

SI5475DC SI5475DC

Si5475DCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated- 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.81206-8 ChipFETS1DD D

 7.1. Size:213K  vishay
 si5475ddc.pdf

SI5475DC SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 7.2. Size:209K  vishay
 si5475dd.pdf

SI5475DC SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 8.1. Size:233K  vishay
 si5475bdc.pdf

SI5475DC SI5475DC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

 8.2. Size:229K  vishay
 si5475bd.pdf

SI5475DC SI5475DC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top