Справочник MOSFET. SI5475DC

 

SI5475DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5475DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5475DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5475DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si5475dc.pdf pdf_icon

SI5475DC

Si5475DCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated- 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.81206-8 ChipFETS1DD D

 7.1. Size:213K  vishay
 si5475ddc.pdf pdf_icon

SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 7.2. Size:209K  vishay
 si5475dd.pdf pdf_icon

SI5475DC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

 8.1. Size:233K  vishay
 si5475bdc.pdf pdf_icon

SI5475DC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI5457DC , SI5458DU , SI5459DU , SI5461EDC , SI5463EDC , SI5468DC , SI5471DC , SI5475BDC , IRF540N , SI5475DDC , SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU .

History: CJ2301 | RF1S9540SM | IPP070N06LG | JCS9N50RC | NCES120R018T4 | STB85NF55L | WSF15N10

 

 
Back to Top

 


 
.