SI5485DU Todos los transistores

 

SI5485DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5485DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI5485DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
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SI5485DU

Si5485DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS14 nC- 20COMPLIANTChipFET Package0.042 at VGS = - 2.5 V - 12a- Small Footprint Area- Low On-Resistance- Thin 0.8 mm profilePow

 9.1. Size:167K  vishay
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SI5485DU

Si5486DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK12RoHSChipFET PackageCOMPLIANT0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC12- Small Footprint Area0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance12- Thin 0.8 m

 9.2. Size:166K  vishay
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SI5485DU

Si5480DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 11 nC0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 mm

 9.3. Size:150K  vishay
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SI5485DU

New ProductSi5481DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTChipFET Package- 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC- Small Footprint Area0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a- Low On-R

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History: VB2103K | AOD4144 | FDS6892A | OSG60R900PF | NTLJS4159NT1G | OSG60R360DZF | WFW40N25W

 

 
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