SI5485DU datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5485DU 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5485DU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5485DU даташит
si5485du.pdf
Si5485DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 14 nC - 20 COMPLIANT ChipFET Package 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12a - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm profile Pow
si5486du.pdf
Si5486DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 12 RoHS ChipFET Package COMPLIANT 0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC 12 - Small Footprint Area 0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance 12 - Thin 0.8 m
si5480du.pdf
Si5480DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 30 11 nC 0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerPAK ChipFET Single - Thin 0.8 mm
si5481du.pdf
New Product Si5481DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT ChipFET Package - 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC - Small Footprint Area 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a - Low On-R
Другие IGBT... SI5475DC, SI5475DDC, SI5476DU, SI5479DU, SI5480DU, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, IRF640N, SI5486DU, SI5499DC, SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC
History: IXTR40P50P | PSMN018-100PSF | TK80S06K3L | SI5481DU | MSQ5N50 | MSW16N50 | PE5A0DZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n






