SI5513CDC Todos los transistores

 

SI5513CDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5513CDC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
 

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SI5513CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
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SI5513CDC

Si5513CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs4gN-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7P-Ch

 6.1. Size:268K  vishay
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SI5513CDC

Si5513CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs4gN-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7P-Ch

 6.2. Size:1883K  kexin
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SI5513CDC

SMD Type MOSFETComplementary Enhancement MOSFET SI5513CD (KI5513CD) Features N-ChannelVDS=20V ID=4A(VGS=4.5V)RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V)RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)RDS(ON) 90m (VGS = 1.8V) P-ChannelVDS=-20V ID=-2.5A(VGS=-4.5V)RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V)RDS(ON) 115m (VGS =-2.5V)RDS(ON) 150m (VGS =-1.8V) Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:242K  vishay
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SI5513CDC

Si5513DCVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 20 40.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.9P-Channel - 20 30.260 at VGS

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History: IPP041N12N3G | IRHYS597Z30CM | IRFB11N50APBF | RU304B | IRF7309Q | NCE3404Y | SSN3541

 

 
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