SI5513CDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5513CDC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: 1206-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5513CDC
SI5513CDC Datasheet (PDF)
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Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch
si5513cd.pdf
Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch
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SMD Type MOSFET Complementary Enhancement MOSFET SI5513CD (KI5513CD) Features N-Channel VDS=20V ID=4A(VGS=4.5V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 90m (VGS = 1.8V) P-Channel VDS=-20V ID=-2.5A(VGS=-4.5V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 115m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-1.8V) Absolute Maximum Rating
si5513dc.pdf
Si5513DC Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 4 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 3 0.260 at VGS
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History: SI4642DY
History: SI4642DY
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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