SI5513CDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5513CDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5513CDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5513CDC даташит

 ..1. Size:271K  vishay
 si5513cdc.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch

 6.1. Size:268K  vishay
 si5513cd.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch

 6.2. Size:1883K  kexin
 si5513cd.pdf pdf_icon

SI5513CDC

SMD Type MOSFET Complementary Enhancement MOSFET SI5513CD (KI5513CD) Features N-Channel VDS=20V ID=4A(VGS=4.5V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 90m (VGS = 1.8V) P-Channel VDS=-20V ID=-2.5A(VGS=-4.5V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 115m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-1.8V) Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:242K  vishay
 si5513dc.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513DC Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 4 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 3 0.260 at VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5480DU, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU, SI5499DC, SI5504BDC, IRF3710, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU