SI5513CDC - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5513CDC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5513CDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5513CDC

 

SI5513CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
 si5513cdc.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch

 6.1. Size:268K  vishay
 si5513cd.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513CDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs 4g N-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7 P-Ch

 6.2. Size:1883K  kexin
 si5513cd.pdf pdf_icon

SI5513CDC

SMD Type MOSFET Complementary Enhancement MOSFET SI5513CD (KI5513CD) Features N-Channel VDS=20V ID=4A(VGS=4.5V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 90m (VGS = 1.8V) P-Channel VDS=-20V ID=-2.5A(VGS=-4.5V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 115m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-1.8V) Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:242K  vishay
 si5513dc.pdf pdf_icon

SI5513CDC

Si5513DC Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 4 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 3 0.260 at VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU , SI5486DU , SI5499DC , SI5504BDC , IRF3710 , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC , SI5857DU , SI5858DU .

History: SI5484DU

 

 
Back to Top

 


 
.