Справочник MOSFET. SI5513CDC

 

SI5513CDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5513CDC
   Маркировка: EG*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5513CDC

 

 

SI5513CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
 si5513cdc.pdf

SI5513CDC SI5513CDC

Si5513CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs4gN-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7P-Ch

 6.1. Size:268K  vishay
 si5513cd.pdf

SI5513CDC SI5513CDC

Si5513CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.055 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs4gN-Channel 20 2.6 nC 100 % Rg Tested0.085 at VGS = 2.5 V 4g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.7P-Ch

 6.2. Size:1883K  kexin
 si5513cd.pdf

SI5513CDC SI5513CDC

SMD Type MOSFETComplementary Enhancement MOSFET SI5513CD (KI5513CD) Features N-ChannelVDS=20V ID=4A(VGS=4.5V)RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V)RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)RDS(ON) 90m (VGS = 1.8V) P-ChannelVDS=-20V ID=-2.5A(VGS=-4.5V)RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V)RDS(ON) 115m (VGS =-2.5V)RDS(ON) 150m (VGS =-1.8V) Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:242K  vishay
 si5513dc.pdf

SI5513CDC SI5513CDC

Si5513DCVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 20 40.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.9P-Channel - 20 30.260 at VGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top