SI5857DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5857DU 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Encapsulados: POWERPAK
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SI5857DU datasheet
si5857du.pdf
Si5857DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 20 5.5 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package SCHOTTKY PRODUCT S
si5853dc.pdf
Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
si5855dc.pdf
Si5855DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C
si5858du.pdf
Si5858DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.039 at VGS = 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.055 at VGS = 1.8 V ChipFET Package 6 - Sm
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History: SI5482DU | MSF9N90 | IXTT24N50Q | SI5485DU | WST3404A | AP10TN003R | AP10G04S
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