Справочник MOSFET. SI5857DU

 

SI5857DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5857DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
 

 Аналог (замена) для SI5857DU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5857DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
si5857du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5857DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 20 5.5 nC0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET PackageSCHOTTKY PRODUCT S

 9.1. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 9.2. Size:175K  vishay
si5855dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5855DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C

 9.3. Size:163K  vishay
si5858du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5858DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.039 at VGS = 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.055 at VGS = 1.8 V ChipFET Package6- Sm

Другие MOSFET... SI5504BDC , SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC , STP75NF75 , SI5858DU , SI5902BDC , SI5904DC , SI5906DU , SI5908DC , SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC .

History: NCEP090N85GU | STI300N4F6 | IRF8707G | STP2N95K5 | HRLP125N06K | NDT90N04 | IRFHS9301PBF

 

 
Back to Top

 


 
.