Справочник MOSFET. SI5857DU

 

SI5857DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5857DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5857DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
si5857du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5857DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 20 5.5 nC0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET PackageSCHOTTKY PRODUCT S

 9.1. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 9.2. Size:175K  vishay
si5855dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5855DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C

 9.3. Size:163K  vishay
si5858du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5858DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.039 at VGS = 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.055 at VGS = 1.8 V ChipFET Package6- Sm

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.