SI5857DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5857DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5857DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5857DU даташит

 ..1. Size:154K  vishay
si5857du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5857DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 20 5.5 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package SCHOTTKY PRODUCT S

 9.1. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 9.2. Size:175K  vishay
si5855dc.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5855DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C

 9.3. Size:163K  vishay
si5858du.pdfpdf_icon

SI5857DU

Si5858DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.039 at VGS = 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.055 at VGS = 1.8 V ChipFET Package 6 - Sm

Другие IGBT... SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, 7N65, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC