SI5944DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5944DU
   Código: CC*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5944DU

SI5944DU Datasheet (PDF)

..1. Size:167K vishay
si5944du.pdf

Si5944DUVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.112 at VGS = 10 V 6a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS40 2.2 nC0.171 at VGS = 4.5 V ChipFET Package4.9 COMPLIANT- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Dual- Low On-Resistance- Thin 0.8

9.1. Size:386K vishay
si5948du.pdf

Si5948DUwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.082 at VGS = 10 V 6 a40 2.2 nC New thermally enhanced PowerPAK0.094 at VGS = 4.5 V 6 aChipFET package- Small footprint area- Low on-resistance- Thin 0.8

9.2. Size:90K vishay
si5947du.pdf

Si5947DUVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 5.5 nC0.100 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 6aChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Dual

9.3. Size:118K vishay
si5943du.pdf

Si5943DUVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.064 at VGS = - 4.5 V - 6a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.089 at VGS = - 2.5 V ChipFET Package- 12 COMPLIANT- 6a 6 nC- Small Footprint Area0.120 at VGS = - 1.8 V - 6a- Low On-Resist

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Liste

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