SI5944DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5944DU 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
Encapsulados: POWERPAK
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI5944DU MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI5944DU datasheet
si5944du.pdf
Si5944DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.112 at VGS = 10 V 6a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 40 2.2 nC 0.171 at VGS = 4.5 V ChipFET Package 4.9 COMPLIANT - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual - Low On-Resistance - Thin 0.8
si5948du.pdf
Si5948DU www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.082 at VGS = 10 V 6 a 40 2.2 nC New thermally enhanced PowerPAK 0.094 at VGS = 4.5 V 6 a ChipFET package - Small footprint area - Low on-resistance - Thin 0.8
si5947du.pdf
Si5947DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 5.5 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual
si5943du.pdf
Si5943DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.064 at VGS = - 4.5 V - 6a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.089 at VGS = - 2.5 V ChipFET Package - 12 COMPLIANT - 6a 6 nC - Small Footprint Area 0.120 at VGS = - 1.8 V - 6a - Low On-Resist
Otros transistores... SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, IRLB4132, SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ
History: TF68N75
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620
