SI5944DU datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5944DU 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5944DU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5944DU даташит
si5944du.pdf
Si5944DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.112 at VGS = 10 V 6a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 40 2.2 nC 0.171 at VGS = 4.5 V ChipFET Package 4.9 COMPLIANT - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual - Low On-Resistance - Thin 0.8
si5948du.pdf
Si5948DU www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.082 at VGS = 10 V 6 a 40 2.2 nC New thermally enhanced PowerPAK 0.094 at VGS = 4.5 V 6 a ChipFET package - Small footprint area - Low on-resistance - Thin 0.8
si5947du.pdf
Si5947DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 5.5 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual
si5943du.pdf
Si5943DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.064 at VGS = - 4.5 V - 6a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.089 at VGS = - 2.5 V ChipFET Package - 12 COMPLIANT - 6a 6 nC - Small Footprint Area 0.120 at VGS = - 1.8 V - 6a - Low On-Resist
Другие IGBT... SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, IRLB4132, SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ
History: MTA090N02KC3 | SI6404DQ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620




