SI5997DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5997DU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: POWERPAK

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SI5997DU datasheet

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SI5997DU

Si5997DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.054 at VGS = - 10 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 30 4.8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.088 at VGS = - 4.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance -

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SI5997DU

Si5999EDU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.096 at VGS = - 2.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance

 9.2. Size:170K  vishay
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SI5997DU

Si5999EDU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.096 at VGS = - 2.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance

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