SI6410DQ Todos los transistores

 

SI6410DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6410DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6410DQ Datasheet (PDF)

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SI6410DQ

Si6410DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = 10 V 7.830RoHS0.021 at VGS = 4.5 V 6.3COMPLIANTDTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.GD D1 8S S2 7Si6410DQS S3 6G D4 5Top View S*Ordering Information:

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SI6410DQ

Si6415DQVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.019 at VGS = - 10 V 6.5Available- 300.030 at VGS = - 4.5 V 5.2RoHS*COMPLIANTS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D1 8must be tied common.S S2 7Si6415DQS S3 6G D4 5Top V

 9.2. Size:201K  vishay
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SI6410DQ

Si6413DQVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = - 4.5 V - 8.8RoHS0.013 at VGS = - 2.5 V - 20 - 7.6COMPLIANTAPPLICATIONS0.016 at VGS = - 1.8 V - 6.8 Load Switch PA Switch Charger SwitchS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7

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History: IRLU8256 | RU30E4B

 

 
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