SI6443DQ Todos los transistores

 

SI6443DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6443DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6443DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  vishay
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SI6443DQ

Si6443DQVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = - 10 V - 8.8- 30RoHS0.019 at VGS = - 4.5 V - 7.0COMPLIANTAPPLICATIONS Battery Switch Load SwitchS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6443D

 9.1. Size:82K  vishay
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SI6443DQ

Si6441DQVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = - 10 V - 8- 30RoHS0.024 at VGS = - 4.5 V - 6.4COMPLIANTAPPLICATIONS Battery Switch Load SwitchS*TSSOP-8 G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6441DQ

 9.2. Size:66K  vishay
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SI6443DQ

Si6447DQVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.09 @ VGS = 10 V "3.220200.16 @ VGS = 4.5 V "2.4S*TSSOP-8GD D1 8D* Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7Si6447DQS S3 6G D4 5Top ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symb

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History: MTD6N15T4G | 2SK1794 | IXKH20N60C5 | SUM75N15-18P | CS20N60F | IXTH420N04T2 | IXFH16N120P

 

 
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