SI6544BDQ Todos los transistores

 

SI6544BDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6544BDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI6544BDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  vishay
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SI6544BDQ

Si6544BDQVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS0.032 at VGS = 10 V 4.3N-Channel 30RoHS0.046 at VGS = 4.5 V 3.7COMPLIANT0.043 at VGS = - 10 V - 3.8P-Channel - 300.073 at VGS = - 4.5 V - 2.8D1S2TSSOP-8G2G1D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1

 8.1. Size:101K  vishay
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SI6544BDQ

Si6544DQVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 10 V "4.0N-Channel 30N-Channel 300.050 @ VGS = 4.5 V "3.40.045 @ VGS = 10 V "3.5P-Channel 30P-Channel 300.090 @ VGS = 4.5 V "2.5D1 S2TSSOP-8D1 1 D D2 G28S1 2 S27Si6544DQ G1S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 D2N-Channel MOSFET P-

 9.1. Size:230K  vishay
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SI6544BDQ

Si6543DQVishay SiliconixDual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free0.065 at VGS = 10 V 3.9 AvailableN-Channel 300.095 at VGS = 4.5 V 3.1RoHS*COMPLIANT0.085 at VGS = - 10 V 2.5P-Channel - 300.19 at VGS = - 4.5 V 1.8D1 S2TSSOP-8G2D1 1 D28G1S1 2 S2

 9.2. Size:107K  vishay
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SI6544BDQ

Si6542DQVishay SiliconixDual N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.09 @ VGS = 10 V "2.5N-Channel 20N-Channel 200.175 @ VGS = 4.5 V "1.80.17 @ VGS = 10 V "1.9P-Channel 20P-Channel 200.32 @ VGS = 4.5 V "1.3D1 S2TSSOP-8D1 1 D D2 G28S1 2 S27Si6542DQ G1S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS D2N-Channel MOSFET P

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History: CEM9936A | LSH65R1K5HT

 

 
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