SI6544BDQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6544BDQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6544BDQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6544BDQ даташит

 ..1. Size:245K  vishay
si6544bdq.pdfpdf_icon

SI6544BDQ

Si6544BDQ Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETS 0.032 at VGS = 10 V 4.3 N-Channel 30 RoHS 0.046 at VGS = 4.5 V 3.7 COMPLIANT 0.043 at VGS = - 10 V - 3.8 P-Channel - 30 0.073 at VGS = - 4.5 V - 2.8 D1 S2 TSSOP-8 G2 G1 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1

 8.1. Size:101K  vishay
si6544dq.pdfpdf_icon

SI6544BDQ

Si6544DQ Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.035 @ VGS = 10 V "4.0 N-Channel 30 N-Channel 30 0.050 @ VGS = 4.5 V "3.4 0.045 @ VGS = 10 V "3.5 P-Channel 30 P-Channel 30 0.090 @ VGS = 4.5 V "2.5 D1 S2 TSSOP-8 D1 1 D D2 G2 8 S1 2 S2 7 Si6544DQ G1 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View S1 D2 N-Channel MOSFET P-

 9.1. Size:230K  vishay
si6543dq.pdfpdf_icon

SI6544BDQ

Si6543DQ Vishay Siliconix Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free 0.065 at VGS = 10 V 3.9 Available N-Channel 30 0.095 at VGS = 4.5 V 3.1 RoHS* COMPLIANT 0.085 at VGS = - 10 V 2.5 P-Channel - 30 0.19 at VGS = - 4.5 V 1.8 D1 S2 TSSOP-8 G2 D1 1 D2 8 G1 S1 2 S2

 9.2. Size:107K  vishay
si6542dq.pdfpdf_icon

SI6544BDQ

Si6542DQ Vishay Siliconix Dual N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.09 @ VGS = 10 V "2.5 N-Channel 20 N-Channel 20 0.175 @ VGS = 4.5 V "1.8 0.17 @ VGS = 10 V "1.9 P-Channel 20 P-Channel 20 0.32 @ VGS = 4.5 V "1.3 D1 S2 TSSOP-8 D1 1 D D2 G2 8 S1 2 S2 7 Si6542DQ G1 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View S D2 N-Channel MOSFET P

Другие IGBT... SI6443DQ, SI6459BDQ, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, SI6473DQ, STP80NF70, SI6562CDQ, SI6913DQ, SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ