SI6562CDQ Todos los transistores

 

SI6562CDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6562CDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6562CDQ

 

SI6562CDQ Datasheet (PDF)

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SI6562CDQ

New Product Si6562CDQ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.022 at VGS = 4.5 V 6.7a N-Channel 20 6.7 nC RoHS 0.036 at VGS = 2.5 V 5.2a COMPLIANT APPLICATIONS 0.030 at VGS = - 4.5 V - 6.1a Load Switch P-Channel - 20 17 nC 0.045 at VGS = -

 6.1. Size:241K  vishay
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SI6562CDQ

New Product Si6562CDQ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.022 at VGS = 4.5 V 6.7a N-Channel 20 6.7 nC RoHS 0.036 at VGS = 2.5 V 5.2a COMPLIANT APPLICATIONS 0.030 at VGS = - 4.5 V - 6.1a Load Switch P-Channel - 20 17 nC 0.045 at VGS = -

 8.1. Size:232K  vishay
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SI6562CDQ

Si6562DQ Vishay Siliconix N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated 0.030 at VGS = 4.5 V 4.5 Available N-Channel 20 0.040 at VGS = 2.5 V 3.9 RoHS* COMPLIANT 0.050 at VGS = - 4.5 V 3.5 P-Channel - 20 0.085 at VGS = - 2.5 V 2.7

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