SI6562CDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI6562CDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6562CDQ

SI6562CDQ Datasheet (PDF)

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New ProductSi6562CDQVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V 6.7aN-Channel 20 6.7 nCRoHS0.036 at VGS = 2.5 V 5.2aCOMPLIANTAPPLICATIONS0.030 at VGS = - 4.5 V - 6.1a Load SwitchP-Channel - 20 17 nC0.045 at VGS = -

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Si6562DQVishay SiliconixN- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V Rated0.030 at VGS = 4.5 V 4.5AvailableN-Channel 200.040 at VGS = 2.5 V 3.9RoHS*COMPLIANT0.050 at VGS = - 4.5 V 3.5P-Channel - 200.085 at VGS = - 2.5 V 2.7

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Liste

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