SI6993DQ Todos los transistores

 

SI6993DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6993DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6993DQ Datasheet (PDF)

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SI6993DQ

Si6993DQVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 10 V - 4.7- 30RoHS0.048 at VGS = - 4.5 V - 3.8COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2G1 G2TSSOP-8D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25D1 D2Top View

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SI6993DQ

Si6991DQVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = - 10 V - 4.2- 30RoHS0.068 at VGS = - 4.5 V - 3.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2G1 G2TSSOP-8D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25D1 D2Top View

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History: IPL60R210P6 | FDB3682

 

 
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