SI6993DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6993DQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6993DQ
SI6993DQ Datasheet (PDF)
si6993dq.pdf
Si6993DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 10 V - 4.7 - 30 RoHS 0.048 at VGS = - 4.5 V - 3.8 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View
si6991dq.pdf
Si6991DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = - 10 V - 4.2 - 30 RoHS 0.068 at VGS = - 4.5 V - 3.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View
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Liste
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