SI6993DQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI6993DQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SI6993DQ datasheet

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SI6993DQ

Si6993DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 10 V - 4.7 - 30 RoHS 0.048 at VGS = - 4.5 V - 3.8 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View

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SI6993DQ

Si6991DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = - 10 V - 4.2 - 30 RoHS 0.068 at VGS = - 4.5 V - 3.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View

Otros transistores... SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ, SI6968BEDQ, SI6981DQ, RFP50N06, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, SI7107DN, SI7108DN, SI7110DN